研發(fā)中心，位于瑞士蘭茲伯格。技術(shù)研發(fā)團(tuán)隊(duì)，由來自歐洲及國內(nèi)頂級(jí)IGBT、SiC設(shè)計(jì)和制造各個(gè)環(huán)節(jié)的技術(shù)專家，在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域擁有優(yōu)秀業(yè)績和幾十年實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者組成。
制造中心，位于中國浙江省嘉善縣。制造中心的一期項(xiàng)目占地2.2萬平米，二期項(xiàng)目占地5萬平米，規(guī)劃建設(shè)多條具有國際一流水平的全自動(dòng)智能IGBT、SiC生產(chǎn)線，以及國內(nèi)技術(shù)中心。
賽晶半導(dǎo)體擁有國內(nèi)稀缺、國際領(lǐng)先的自主芯片技術(shù)。芯片產(chǎn)品采用賽晶精細(xì)溝槽柵技術(shù)、微溝槽柵技術(shù)以及碳化硅(SiC)技術(shù)，IGBTc產(chǎn)品涵蓋中壓1050V、1200V、1700V；SiC產(chǎn)品電壓范圍涵蓋650V、1200V、1700V和2000V;另外，低壓MOS擁有豐富的產(chǎn)品系列，包括ComplementaryN+P、Dual NMOS、SGT LVMOS、SJ MOS和Trench LVMOS。
